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Neste trabalho pretende-se realizar um estudo sobre o funcionamento de memórias resistivas ou memristores. Primeiramente será feita uma revisão e uma pesquisa na literatura sobre as características dos dispositivos e o modo como operam. Entendidos os conceitos de comutação resistiva (CR), SET, RESET, estado de baixa (LRS) e alta (HRS) resistividade e formação de filamento, serão construídos modelos matemáticos com base em estudos. Tais modelos servirão para simulação do dispositivo nos softwares MATLAB e SPICE.