Sistemas de baixa dimensionalidade, como moléculas e nanoestruturas suportadas em superfícies, são de grande interesse tecnológico e atualmente representam desafios científicos interessantes. Determinar a estrutura a nível atômico é um primeiro passo para o entendimento das propriedades eletrônicas e/ou magnéticas de um material. Neste projeto de iniciação científica foram simuladas imagens de Microscopia de Tunelamento (STM), dentro da aproximação de Tersoff-Haman, utilizando a densidade de estados eletrônicos da superfície calculada via Teoria do Funcional da Densidade (DFT). A metodologia foi aplicada ao estudo da superfície do Ag(111) e de moléculas de benzeno adsorvidas sobre Ag(111). As imagens de STM foram simuladas para diferentes sítios de adsorção das moléculas na superfície e para diferentes potenciais de tunelamento no modo de altura constante. As imagens simuladas permitem que os diferentes sítios de adsorção da molécula de benzeno sejam identificados, o que é feito a partir da variação na corrente de tunelamento. Estes resultados podem auxiliar o entedimento de imagens experimentais observadas para este sistema, tarefa que, em geral, não pode ser realizada de maneira direta.